简介

SRAM存储电路以双稳态触发器为基础，其一位存储单元类似于D锁存器。数据一经写入只要不关掉电源，则将已知保持有效。而DRAM存储电路以电容为基础，靠芯片内部电容电荷的有无来表示信息，为防止由于电容漏电所引起的信息丢失，就需要在一定的时间间隔内对电容进行充电，这种充电的过程称为DRAM的刷新。

2个4K5伏的静态随机存储器

静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，其内储存的数据还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或快闪存储器仍然是不同的。

与 DRAM 之比较

在同样的运作频率下，由于 SRAM 对称的电路结构设计，使得每个记忆单元内所储存的数值都能以比 DRAM 快的速率被读取。除此之外，由于 SRAM 通常都被设计成一次就读取所有的资料位元 (Bit)，比起高低位址的资料交互读取的 DRAM，在读取效率上也快上很多。因此虽然 SRAM 的生产成本比较高，但在需要高速读写资料的地方，如电脑上的快取 (Cache)，还是会使用 SRAM，而非 DRAM。

动态随机存储器和静态随机存储器的区别

SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。