优点

功率场效应晶体管（VF）又称 VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比 晶体管和 MOS场效应管更好的特性。即是在 大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率 MOSFET，其优点表现在以下几个方面：

1. 具有较高的 开关速度。

2. 具有较宽的安全工作区而 不会产生热点，并且具有正的 电阻温度系数，因此适合进行 并联使用。

3. 具有较高的 可靠性。

4. 具有较强的 过载能力。短时过载能力 通常额定值的4倍。

5. 具有较高的 开启电压，即是 阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境 噪声较高时，可以选 用 阈值电压较高的管子，以提高 抗干扰能力；反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。

6. 由于它是 电压控制器件，具有很高的 输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。

由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常广泛。

特性

功率场效应晶体管及其特性

一、 功率场效应晶体管是 电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是 V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为 VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在 功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫 TMOS管，它是在 VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了 很短的导通沟槽。

二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号

1.极限参数和符号

（1） 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS

（2） 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO

（3） 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX

（4） 击穿电压BVDS

（5） 栅极电流IG