• 1.摘要
  • 2.基本信息
  • 3.类型
  • 4.只读存储器
  • 4.1.PROM
  • 4.2.EPROM
  • 4.3.OTPROM
  • 4.4.EEPROM
  • 5.闪存
  • 6.闪存的限制
  • 6.1.区块抹除
  • 6.2.记忆耗损
  • 6.3.读取干扰
  • 6.4.写入编程干扰

非易失性内存

非易失性存储器(英语:non-volatile memory,缩写为NVM)是指当电流关掉后,所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中,依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准,可分为二大类产品,即ROM和Flash memory。

基本信息

  • 中文名

    非易失性内存

  • 外文名

    non-volatile memory

  • 别名

    非易失性存储器

  • 读取延迟

    50-100纳秒左右

  • 工作温度

    0-70摄氏度

类型

非易失性存储器主要有以下类型:

  • ROM(Read-only memory,只读内存)

    • PROM(Programmable read-only memory,可编程只读内存)

    • EAROM(Electrically alterable read only memory,电可改写只读内存)

    • EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读内存)

    • EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory,电可擦可编程只读内存)

  • Flash memory(闪存)

只读存储器

只读存储器Read-OnlyMemory,ROM)是一种半导体存储器,其特性是一旦存储数据就无法再将之改变或删除,且内容不会因为电源关闭而消失。在电子或电脑系统中,通常用以存储不需经常变更的程序或数据,例如早期的家用电脑如Apple II的监督程序、BASIC语言解释器、与硬件点阵字体,个人电脑IBMPC/XT/AT的BIOS(基本输入输出系统)与IBM PC/XT的BASIC解释器,与其他各种微电脑系统中的固件(Firmware),均存储在ROM内。

PROM

主条目:PROM

可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)其内部有行列式的镕丝,可依用户(厂商)的需要,利用电流将其烧断,以写入所需的数据及程序,镕丝一经烧断便无法再恢复,亦即数据无法再更改。

EPROM

主条目:EPROM

可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)可利用高电压将数据编程写入,但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间,数据始可被清空,再供重复使用。因此,在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。写入程序后通常会用贴纸遮盖透明窗,以防日久不慎曝光过量影响数据。

OTPROM

一次编程只读存储器(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)内部所用的芯片与写入原理同EPROM,但是为了节省成本,封装上不设置透明窗,因此编程写入之后就不能再抹除改写。

EEPROM

主条目:EEPROM

电子抹除式可复写只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。

闪存

快闪存储器(英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除,就会清除掉整颗芯片上的数据。

闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低,也因此成为非易失性固态存储最重要也最广为采纳的技术。像是PDA、笔记本电脑、数字随身听、数码相机与手机上均可见到闪存。此外,闪存在游戏主机上的采用也日渐增加,藉以取代存储游戏数据用的EEPROM或带有电池的SRAM。