常凯
4常凯(1964年8月-),出生于安徽潜山,博士研究生毕业于北京师范大学,中科院院士、国科学院半导体研究所研究员、第十四届全国政协常委1、民盟中央常委、民盟中央科技委员会主任2,现任中科院半导体所超晶格国家重点实验室研究员,主要从事半导体物理的理论研究工作3。
2001年,常凯入选中科院人才计划;2005年,获得国家杰出青年基金资助;曾获2004年国家自然科学奖二等奖;2013年,任第17届窄能隙半导体物理会议主席、荣获昆固体物理和半导体物理奖;2015年,任(德国)第18届国际程序委员会委员、(日本)二维电子气物理会议(EP2DS-21)程序委员会委员;2016年,任第33届国际半导体物理大会(ICPS-33)程序委员会主席;2019年当选为中国科学院数理学部院士。
人物经历
1964年8月出生于安徽潜山4;
1984年毕业于阜阳师范学院(现阜阳师范大学)物理系4;
1996年于北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位;
1996年至1998年,中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士后;
1998年至2001年,比利时安特卫普大学Research Fellow;
2006年,香港中文大学杨振宁Fellowship。
2001年,获得百人计划资助任中科院半导体所研究员。
中科院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室研究员。
2019年11月,当选为中国科学院院士5。
中国人民政治协商会议第十四届全国委员会委员、常务委员1
荣誉奖项
2004年度国家自然科学二等奖获得者之一(夏建白、李树深、常凯、朱邦芬)。
2005年度国家杰出青年基金获得者。
研究领域
研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学。在国际核心物理学期刊上共发表论文几十篇。
从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应,并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究,并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子,解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。
主要研究工作集中在半导体自旋电子学方面。系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍,实验结果支持我们的方案。研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻,理论与实验十分吻合。在此基础上,考虑自旋-轨道耦合,发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。