ITO
3ITO((indium tin oxides) 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡。
ito由氧化铟通过掺杂锡(掺杂比例通常为in2o3:sno2=9:1)获得,因掺杂的高价正离子sn取代了in2o3晶格中三价in的位置,从而提供多余的电子载流子到导带中,形成一种具有良好透明导电性能的n型简并半导体ito(ito薄膜)。ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率1。
基本信息
- 中文名
氧化铟锡
- 别称
ITO
- 化学式
In2O3-SnO2
- 分子量
428.343
- CAS登录号
50926-11-9
功能用途
在进行LCD走线设计时,由ITO阻计算方式,可知影响ITO阻值有如下因素:
1、ITO玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小,应酬让ITO玻璃方块电阻小,因为R□=P/d,则必须选P小,d适当大些的材料。
2、L1/L2
L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比,在R□一定时,要保证走线电阻值小,就要让L1/L2小,当L1一定时,只有增大L2,也说法是在设计时,走线应尽可能加宽;而当L2一定时,L1就要小,即走线宽度一定时,细线应尽可能短。
3、ITO阻值影响
在LCD显示屏设计当中,不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响,还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响,以便选择适当方块电阻的ITO玻璃,以便设计到制作的全面控制,生产高对比的LCD产品,这时高占空比及COG产品无为重要,如ITO膜厚的均匀性,因为ITO的靶材及工艺的不稳定,会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化,如目标值为10Ω时,其R□范围在8-12Ω之间,所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃,以减少电阻的变化,其次为ITO玻璃的耐高温时性,酸碱性,因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在300°C *30min的环境中,会使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也会增到1.1倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
4、由于在液晶显示器中,ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻,其阻值大小直接影响电路两端电压的大小,即方块电阻越大,LCD值电压越大。有数据表明,ITO之方块电阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap为6um)左右,Vth值会降低0.03V左右。
多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。
功能特点
氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而,薄膜沉积中需要作出妥协,因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率,但会降低它的透明度。
氧化铟锡薄膜最通常是物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。
因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空,其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品(石墨烯是最佳的替代品)。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来。PEDOT:PSS层已经进入应用阶段(但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点)。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。
方式方法
ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。
ITO也被用于各种光学镀膜,最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。
ITO薄膜应力规可以在高于1400°C及严酷的环境中使用,例如气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎。