发展历程

光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：

高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。

位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。

生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。

光刻机共经历了五代的发展，第一代使用的是436nm g-line波长，第二代光刻机开始使用波长365nm i-line，第三代则是248nm的KrF激光，第四代是193nm波长的DUV激光，即ArF准分子激光，第五代是13.5nm 的EUV激光4。

2024年9月9日，工业和信息化部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm）和氟化氩光刻机（65nm）4。

光刻机技术选代历程

结构参数

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光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。

曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。

曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。

紫外光源

曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。

常见光源分为:

可见光：g线：436nm