碳化硅
碳化硅(Silicon carbide,SiC)1,又名碳硅石、金钢砂、耐火砂,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料2,是硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物,由美国工程师艾奇逊在1891年电熔金刚石时偶然发现3。
碳化硅分为人工合成碳化硅和天然碳化硅3。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20-3.25,显微硬度为2840-3320kg/mm2。碳化硅的硬度很大,具有优良的导热和导电性能,高温时能抗氧化;主要用于磨料,冶金脱氧剂和耐高温材料,制造半导体、制造碳化硅纤维等2。
基本信息
- 中文名
碳化硅
- 外文名
SiC、silicon carbide
- 粒度
16-15000目
- Sio2
97-98%
- Fe2o3
0.02%
发展历程
碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
关于碳化硅的几个事件
1905年 第一次在陨石中发现碳化硅
1907年 第一只碳化硅晶体发光二极管诞生
1955年 理论和技术上重大突破,LELY提出生长高品质碳化概念,从此将SiC作为重要的电子材料
1958年 在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法
1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅基
形态特征
配置结构
英文名称:silicon carbide,俗称金刚砂。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。
品质规格
①磨料级碳化硅技术条件按GB/T2480—96。各牌号的化学成分由表6-6-47和表6-6-48给出。
②磨料粒度及其组成、磨料粒度组成测定方法:按GB/T2481.2-2009。
GB/T 9258.1-2000|涂附磨具用磨料 粒度分析 第1部分:粒度组成
GB/T 9258.2-2008|涂附磨具用磨料 粒度分析 第2部分:粗磨粒P12~P220粒度组成的测定