刘轶
4刘轶，男，中国科学院研究员，博士生导师，国际知名的无线射频集成电路设计专家，美国华裔教授协会理事和全日本中国人博士协会理事，欧美同学会会员。毕业于日本东京理科大学，获应用电子学博士学位。随后在美国加州大学师从2000年诺贝尔物理学奖获得者HERBERT KROEMER教授。有20多年的海外专业经历。拥有多项专利技术，发表论文三十多篇，曾多次获得国际奖项。
基本信息
- 中文名
刘轶
- 毕业院校
日本东京理科大学
- 职业
教师
- 主要成就
2006年和2012年二度荣获美国华裔教授杰出贡献奖、荣获2012年上海“侨商风云人物”最佳自主创新奖
基本信息
姓 名: 刘轶
性 别: 男
职 称: 研究员
学 历: 研究生（博士）
通讯地址: 上海市浦东新区张江高科技园区海科路99号
研究方向
刘轶博士一直致力于新一代集成电路芯片为基础的高速信号通信的研究和开发，在功率放大器的拓扑结构、智能型可控电源的InGap/GaAs HBT射频功率放大器（PA）、多频段（2.4/5GHz）多芯片（MCM）模块的无线网络系统、低温共烧陶瓷(LTCC)倒装芯片封装技术等研发领域具有很深的造诣。在业界率先提出一种新颖的PA拓扑结构，为HBT/PHEMT功率放大器在无线通信(WRIELESS LAN, W-CDMA)中的应用奠定了坚实的基础，并为美国IEEE制定高速无线光通信的国际标准（IEEE 802.11.a/b/g/16n/ac）提供了大量的数据。相对于第一代的半导体材料CMOS，GaAs是第二代的半导体材料，在设计生产PA时，具有其独特的优越性。随着InGaP/GaAs工艺技术的不断发展，成本的降低，在2000年前后开始逐渐进入民用的网络，手机通信和卫星导航等领域，刘轶博士在2000年开始使用GaAs设计PA，是最早使用GaAs材料设计PA的设计人员之一。
获奖及荣誉
1、2006年和2012年二度荣获美国华裔教授杰出贡献奖
2、荣获2012年上海“侨商风云人物”最佳自主创新奖
科研项目
1）上海市科委2011年度：“创新行动计划”院市合作项目：TD-LTE射频功率放大器芯片及模块研发
2）国家科技部2013年度科技创新基金：“基于InGaP/GaAs HBT 工艺的第四代移动通信射频功率放大器芯片”
代表论著
1. JIN JIE, LIU YI "Novel Carrier Recovery Scheme in Multi-Carrier Digital TV System", International Journal of Communication Systems, 2012.
2. CUI JIE, CHEN LEI, LIU YI: Design of A Wideband High-power High-linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Applied Specifically for 802.11a/ac/16e. Global Symposium on Millimeter Waves 2013
3. CUI JIE, LIU YI: "A High-linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifier for IEEE 802.11a/n", Journal of Semiconductor, June 2013.
4. CUI JIE, LIU YI: “Monolithic Single-pole Sixteen-Throw T/R Switch for Next-generation Front-end Module” MTT-S, IEEE Microwave and Wireless 2013.