人员介绍

冉广照，教授、博士生导师。

主讲课程

• 半导体激光物理学

• 近代物理实验

主研究方向

• 分子半导体：材料，器件及物理

• 纳米半导体：材料，器件及物理

• 硅光子学：硅基发光与激光

主要获奖

• 2005年 北京市科学技术一等奖（排名三）

• 2007年 国家自然科学二等奖 （排名二）项目：氧化硅纳米硅体系的发光及物理机制

代表论文

1. 1.

   Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008

2. 2.

   Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004

3. 3.

   Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001