基本内容

它的描述有两种形式：第一种是每边的底切距离。例如，某具体刻蚀工艺可能会在光刻胶条为1μm的情况下生产出0.8μm的线条，工艺涨缩量为每边0.1μm。如图1所示，被刻蚀的侧壁并非总是陡直的，因而钻刻的大小取决于如何测量。线条的大部分电学测量对其截面积敏感，它提供的是一个平均的钻刻值。如果刻蚀工艺侵蚀光刻胶图形，这种侵蚀也会产生刻蚀胀缩量。有一些工艺有意对此进行了设计。然而本章节的讨论中，我们假定光刻胶模型在刻蚀过程中不会被改变。

第二种描述钻刻的方法是引入刻蚀速率各向异性的概念。各向异性特征通常由下面的公式给出

A=1-RL/RV

上式中，RL，RV分别代表横向和纵向刻蚀速率。如果横向刻蚀速率为0，则将这种刻蚀工艺称为理想的各向异性（A=1）。反之，当A=0时则代表横向与纵向刻蚀速率相同。

图1 典型各向同性刻蚀工艺，显示出刻蚀工艺容差