基本内容

典型的微沟槽效应如图1所示。微沟槽效应估计是由高能离子在刻蚀结构的侧壁下滑并直接轰击溅射侧壁的边角造成的。其机理说明如图2所示。由于侧壁表面近于垂直的角度，小角度掠射到侧壁的离子会被直接反射到侧壁底部的边角，形成一种聚焦效应，是侧壁边角处的刻蚀速率额外增加。这种假设已得到蒙特卡洛模拟的证实。显然，微沟槽效应与侧壁垂直度和离子入射角关系密切。一般来说，刻蚀深度越深，微沟槽效应越明显。刻蚀侧壁的负电荷积累也会加重微沟槽效应，因为负电场会使更多的离子偏转向侧壁表面。向刻蚀表面喷射电子，例如，用宽束电子辐照样品表面，可以在某种程度上中和刻蚀表面电荷分布的不均匀，达到减少微沟槽效应的效果。

图1 深刻蚀中的微沟槽效应

图2 形成微沟槽的机理