简介

合成溶质扩散法用来制备磷化镓等晶体。其特点是能在低于磷化镓熔点的温度和常压下同时进行磷化镓的合成与生长。

工艺流程

在一垂直放置的密闭石英管内，下部放磷，上部带有尖端的坩埚内放镓，整个反应管放在一个电阻炉内。反应管放磷一端的温度为420℃，维持一个大气压。坩埚土部温度比下部温度稍高，在镓表面合成的磷化镓，通过镓扩散到下部。由于下部温度低，磷化镓呈饱和状态而析出晶体。整个过程就是合成溶质扩散再结晶的过程。

特点

合成溶质扩散优点是设备简单，影响发光效率的晶体缺陷少；缺点是得到的晶体多为多晶，很少单晶，生长速变慢周期长。