简介

陶瓷抛光是在陶瓷研磨后为进一步提高表面精度，使用软质弹性或粘弹性的工具和微粉磨料，使工件表面达到镜面的光洁度，抛光的机理有力学的微小除去：磨料前端的微小切削作用除去表面凹凸。

性质

流动说(塑性流动、热流动);化学作用说抛光(研磨)的方法有：

(1)钻石抛光，用一定粒度及浓度的钻石磨料，进行机械研磨；

(2)水和抛光，在大于100度的水蒸气中，杌械性地摩擦试样与抛光具，引起水和反应,如蓝宝石的表面抛光叮用此法；

(3)火焰抛光，表面直热闹与高温火焰或等离子体接触，引起局部融化,在再结晶过程中去除表面缺陷；

(4)机械化学抛光，利用磨料与试样间发生反应而抛光表面；

(5)湿式化学抛光，在一定温度，浓度的腐蚀剂中进行腐蚀；

(6)千式化学抛光，如对蓝宝石，使纯氨气与3%的SiH，气体在10Pa的压力下流通，加热到1350度以0. 5μm/mm的加工速度除去蓝宝石表面；

(7)电解抛光，利用阳极溶解作用，选择性溶解阳极表面的突出部分，使表面平滑化，此法不适用于绝缘材料。

原理

电化学抛光也称电解抛光。电解抛光是以被抛工件为阳极，不溶性金属为阴极，两极同时浸入到电解槽中，通以直流电而产生有选择性的阳极溶解，从而使工件表面光亮度增大，达到镜面效果。

CMP

CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面，如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。