DDR2
DDR2SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-RateTwo Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDRSDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDRSDRAM（双倍数据率同步动态随机业务
基本信息
- 中文名
DDR2
- 外文名
DDR2SDRAM
- 研发机构
电子设备工程联合委员会
DDR2的定义
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代 内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用 FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定业务
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人 电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2的结构及特点
DDR2内存拥有240个引脚（不包括定位槽），笔记本内存为200个引脚
DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间（反面位于第184和185引脚之间）
DDR2内存均采用 FBGA( 细间距球栅阵列)封装形式，特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面
DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压（数据线用）
DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路，也有少数采用调压方式供电
DDR2内存标准参数表
标准名称 | 存储器 时钟频率 | 周期 | I/O总线频率 | 数据速率 | 传输方式 | 模块名称 | 极限传输率 | 位宽 |
DDR2-400 | 100MHz | 10ns | 200MHz | 400Million | 并行 | PC2-3200 | 3200MB/s | 64bit |
DDR2-533 | 133MHz | 7.5ns | 266MHz | 533Million | 并行 | PC2-4200,4300 | 4266MB/s | 64bit |
DDR2-667 | 166MHz | 6ns | 333MHz | 667Million | 并行 | PC2-5300,5400 | 5333MB/s | 64bit |
DDR2-800 | 200MHz | 5ns | 400MHz | 800Million | 并行 | PC2-6400 | 6400MB/s | 64bit |
DDR2与DDR和DDR3的区别
DDR简述
DDR内存为184引脚（不包括定位槽）
DDR内存定位槽位于第52和53引脚之间（反面位于第144和145针脚之间）
DDR内存多采用 TOSP II封装形式
DDR内存工作电压2.5V