定义

对于二极管反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。

晶体管的极间反向电流

晶体管的极间反向电流包括：集电极基极间反向饱和电流Icbo，集电极发射极间反向饱和电流Iceo。

Icbo

当晶体管的发射极开路时，在集电结反向电压的作用下，基区的少子自由电子和集电区的少子空穴会形成漂移电流，即为集电极与基极之间的反向饱和电流Icbo，也称集电结反向漏电电流。Icbo对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。1

Iceo

Iceo是指当晶体管的基极开路时，流经集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

Icbo和Iceo的关系

设β为直流共射集-基电流比，则Icbo和Iceo的关系可表示为

参考资料