海力士
海力士（Hynix）是一家半导体制造商，成立于1983年2月，总部位于韩国京畿道，代表董事为Park Jung-ho, Kwak Noh-Jung1。
该公司主要业务是半导体元件制造和销售，致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。代表性产品包括存储器半导体DRAM、NAND Flash、MCP（Multi-Chip Package）等和系统半导体CIS（CMOS Image Sensor）等1。
2026年，根据海力士第一季度财报，公司营收达525800亿韩元（约合356亿美元），同比增长198%；营业利润376100亿韩元（约合254亿美元），同比激增405%，毛利率提升至79%2。
基本信息
- 中文名
海力士
- 外文名
Hynix
- 国家
韩国
- 总部地点
京畿道
- 经营范围
半导体
- 公司官网
www.skhynix.com.cn/
- 缩写
HY
- 世界500强
第452名(2020年)
发展历程
1983年2月创立现代电子株式会社。
1984年9月，完成FAB II-A。
1985年10月，开始批量生产256K的DRAM。
1986年4月，设立半导体研究院。6月，举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”。
1988年1月，开发1M的DRAM。11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
1989年9月，开发4M的DRAM。11月，完成FAB III。
1996年12月，公司股票上市。
1997年5月，在世界上首次开发1G SDRAM。
1998年9月，开发64M的DDR SDRAM。
1999年3月，出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）。10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社。
2000年4月，剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’。8月，剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’。
2001年3月，公司更名为“Hynix半导体有限公司”。5月，剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’。7月，剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’。8月，完成与现代集团的最终分离开发世界上速度最快的128MB DDR 。
2002年3月，开发1G DDR DRAM模块。6月，在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户。8月，在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM。10月，开发0.10微米、512MB DDR。11月，出售HYDIS， TFT-LCD业务部门。
2003年3月，发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM。4月，宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存。5月，采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产。6月，512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证。7月，宣布在世界上首次发表DDR500。8月，宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。12月，宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU。
2004年2月，成功开发NAND闪存。3月，行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证。6月，签订非内存事业营业权转让协议。7月，获得公司成立以来最大的季度营业利润。8月，与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议。11月，与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议。
2005年1月，与中国台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议。3月，发布2004年财务报表，实现高销售利润。4月，海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼。7月，提前从企业重组完善协议中抽身而出。11月，业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM。12月，世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM。
2006年1月，发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)。3月，业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证。9月，300mm研究生产线下线。10月，创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络。12月，业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM。