克尔电光效应

克尔电光效应又称为“直流克尔效应”。假设施加缓慢外电场于物质样品，即在连结样品两端的电极之间施加电压，在这影响下，样品会变为具有双折射性质，对于光波的偏振平面平行与垂直于外电场的两种方向，会出现不同的折射率，其差值为

；

其中，是光波的波长，是“克尔常数”，是电场。

假设光波入射于样品的方向垂直于外电场，则折射率的不同会使得这样品的物理性质类似波片（waveplate）。假若置放物质于两块正交偏振片之间（请参阅条目偏光仪（polariscope）），当设定外电场为零之时，不会有任何光波透射过这两块正交偏振片；但当设定外电场为某最佳值之时，几乎全部光波会透射过这两块正交偏振片。

某些极性液体，例如一硝基甲苯（C7H7NO2）、硝基苯（C6H5NO2），会展示出很大的克尔常数。“克尔盒”指的是装满了这种液体的小盒。因为克尔效应对于电场变化的响应速度很快，克尔盒时常被用来调制光波，频率可高达10 GHz，可以用来制作电控光开关，在高速摄影、激光通讯方面很有用处，是未来光联网的重要技术。；由于克尔效应相当微弱，典型的克尔盒需要电压高达30 kV才能达到完全透明。泡克耳斯效应的工作电压比这低很多。克尔盒的另一大缺点是制作材料硝基苯具有毒性。克尔盒光调制器也可以采用某些透明晶体为克尔效应材料，虽然他们的克尔常数较小。

在有些缺乏反演对称性的介质里，克尔效应通常会被更强劲的泡克耳斯效应屏蔽；但是，克尔效应仍旧存在，时常可以独立地被探测到，不论泡克耳斯效应的贡献有多强劲。

克尔光学效应

克尔光学效应又称为“交流克尔效应”。在克尔光学效应里，光波本身的电场造成了折射率的改变，这改变与光波的局域辐照度有关。折射率的变化促成了自聚焦（self-focusing）、自调相（self-phase modulation）、调制不稳定性（modulational instability）的非线性光学效应，是克尔透镜锁模技术（Kerr-lens modelocking）的基础机制。只有当光束非常强劲时，这效应才会变得很显著，例如，激光所产生的激光束。

磁光克尔效应

在磁光克尔效应里，从磁性物质反射出来的光波，其偏振平面会稍微偏转。这效应与法拉第效应类似，在法拉第效应里，透射光的偏振平面会稍微偏转。

理论

直流克尔效应

在介质里，电极化向量与电场的关系为

，

其中，是电常数，是介质的第n阶电极化率张量。

这是个张量公式。采用直角坐标系，x坐标、y坐标、z坐标分别以下标1、2、3代表，这公式表示为

。

在这公式的右手边，第一项是介质的线式响应，所产生的电极化向量与电场成正比；第二项给出了泡克耳斯效应；第三项给出了直流克尔效应。对于展示出不可忽略的克尔效应的物质，第三项很重要。经过一番运算，第三项以方程式表示为