P型半导体别名空穴型半导体,即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
P型半导体的形成是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子。P类半导体中,参与导电的(即电荷载体)主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是P型半导体,例如含有适量三价元素硼、铟、镓等的半导体1。
功能特点
掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高。
形成
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
基本内容
P型半导体
也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型半导体
参考资料