基本概念

这是小尺寸场效应晶体管（FET）中所出现的一种不良现象，即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时，沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区，并导致源极端势垒高度降低，从而源区注入到沟道的电子数量增加，结果漏极电流增加。沟道长度越短，DIBL效应就越严重。

实际上，DIBL效应往往与沟道长度调制效应同时发生，因为这些效应都是小尺寸场效应晶体管中容易出现的问题。

效应的影响

这种效应的影响主要有三个方面：

a）使场效应晶体管的阈值电压降低，影响到器件的整个性能；

b）使输出伏安特性曲线不饱和，即导致输出交流电阻降低、器件的电压增益下降。（DIBL的这种作用与沟道长度调制效应的一样，都将导致小尺寸晶体管的电压增益下降。）

c）限制着小尺寸MOSFET 进一步缩小尺寸，实际上这往往也就是ULSI进一步提高集成度所受到的一种限制。