概况简介

京大学微电子学研究所成立于1985年，现属于北京大学计算机科学与技术系，其前身是 1956年由著名科学家黄昆院士领导创建的北京大学物理系半导体教研室。现在，在著名微电子学专家王阳元院士的主持下，该所已形成了以有较高学术造诣的学术带头人为首。以中青年科技人员为骨干的结构合理的人才梯队，科研和教学工作呈现出欣欣向荣的局面，成为国家从事集成电路新工艺、新器件和新结构及其应用基础研究的主要单位之一，是国家科学技术攻关和科技预研的重要基地，是国家微米/纳米加工技术中心，同时也是我国培养高质量微电子科技人才的摇篮。 [1]

研究力量

研究所现有人员90余人，其中高级职称者40余人，中级职称者近30人。全所设有6个研究室，主要在以下六个研究方向开展研究工作：1.微电子机械系统研究；2.超高速集成电路研究；3.异质结器件与电路研究；4.ASIC设计研究；5.深亚微米和纳米器件及其物理问题研究；6.小尺寸器件物理及其可靠性的研究。[1]

实验机构

研究所建有一个国家级重点实验室、一个国家级科技专项实验室和一个北京高技术重点实验室，即微米/纳米加工技术国家重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构电路实验室和北京市软件固化高科技重点实验室。工艺实验室总面积900m2，其中十级超净室40 m2，百级60 m2，拥有80余台先进的工艺加工及检测设备。可加工CMOS电路、硅双极电路、SOI/CMOS电路、化合物半导体器件和微电子机械系统等器件与电路。另还建有一个CAE实验室，拥有多台工作站和有关电路设计软件，面积300 m2。[1]

微米/纳米加工技术国家重点实验室

发展目标：建立制作体硅和表面硅微机械结构并能与IC工艺兼容的微电子机械系统（MEMES）加工技术；开发新的MEMS加工技术。微米纳米加工技术国家重点实验室主要设备：双面对准光刻设备（Suss MA6）；硅/硅和硅/玻璃键合对准设备（Suss BA6）；硅/硅和硅/玻璃键合设备（Suss SB6 VAC Substrate Bonder）；专用硅表面亲水化清洗设备（CL6 Cleaner）；高深宽比的硅深槽刻蚀设备（STS Multiplex）；表面牺牲层工艺用LPCVD设备（LPCVD ASM LB35）；4英寸IC工艺设备。研究内容和条件：体硅和表面硅微加速度计和陀螺等MEMS器件；　硅微电子机械结构的设计与性能模拟；机械机构与信号处理电路单片集成的技术设计。

新工艺新器件新结构集成电路重点实验室

研究方向：亚微米CMOS集成电路技术研究；硅基超高速双极集成电路技术研S-Gun磁控溅射系统究；CMOS/SOI电路技术研究；新结构、新器件研究；小尺寸器件物理及其可靠性的研究。

北京市软件固化高科技实验室

软件固化实验室是北京市高科技实验室之一，1987年11月由北京市政府资助在北京大学建立，著名计算机科学家杨芙清院士任实验室主任，微电子学家王阳元院士任学术委员会主任。实验室以北京大学计算机系统与软件研究所和北京大学微电子学研究所为依托，以系统的软、硬件联合设计为研究方向。随着VLSI设计与制作水平的提高，软件固化技术已由早期的存储程序固化发展到系统的软、硬件联合设计，实现系统设计的最优化。软件固化实验室是计算机与微电子两大学棵的结合点，在科学研究人才培养等方面发挥了很好的作用。

CAE实验室

CAE实验室建立了比较完备的软、硬件平台，包括Sun Ultra 和Sun Space 等多台工作站，Cadence、Compass、Panda EDA软件系统MEM CAD、SUPREM、CAE实验室MEDICI、H-SPICE等软件工具，可以支持所内MEMS、新工艺新器件结构电路的研究和VLSI行为、结构、物理等领域的设计研究。

微电子科学技术工艺实验室

工艺实验室主要包括MEMS工艺加工和新工艺新器件新结构集成电路工艺加工两部分，是我国微电子新工艺新器件新结构集成电路研究的重要基地之一和我国MEMS加工技术的重要基地。在这个实验室中曾诞生了中国第一块三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1024位MOS存储器，实现了我国NMOS工艺零的突破今天又在硅双极集成电路和CMOS/SOI集成电路技术方面处于国内领先地超净厂房位。研究方向；EMS加工技术；多晶硅发射极超高速集成电路技术；SOI技术；GESI/SI器件；GAN器件。[2]

研究机构