人物关系共2人

人物生平

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1936年12月20日，吴德馨出生于河北乐亭。

1961年，毕业于清华大学无线电电子工程系，毕业后分配至中国科学院半导体研究所工作。

1986年，调入新成立的中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所）5。

1986年—1989年，担任中国科学院微电子中心第一届副主任。

1991年—1997年，担任中国科学院微电子中心第二届、第三届主任6。

1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）7。

1992年，被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。

2026年3月23日，吴德馨因病医治无效在北京逝世，享年90岁4。

主要成就

科研成就

• 科研综述

吴德馨系统地研究成功第一代半导体硅双极型、MOS场效应型晶体管和大规模集成电路、第二代砷化镓异质结场效应和双极型晶体管与集成电路以及第三代氮化镓异质结场效应晶体管等，产生了重要的经济和社会效益5。

20世纪60年代初期，吴德馨作为主要负责人之一，在中国国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。20世纪60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。

20世纪70年代末期，吴德馨研究成功MOS4K位动态随机存储器。在中国国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在中国国内突破了大规模集成电路（LSI）低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。

20世纪80年代末期，吴德馨自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。