定义

室温下由金属氧化物的辐射得到的慢电子(E～1eV)的发射现象,最初是由Tanaka在1935-1940年间观测到的。当电子和离子辐射轰击绝缘体或是半导体的时候,就会有电子从其中出射。目前外逸电子主要研究MgO的外逸电子发射，它主要指从MgO材料本身发出的延迟电子发射,是由注入到MgO或是MgO本身的电子和空穴的缓慢复合产生的。

M gO 外逸电子发射机理

外逸电子发射,Oster&Hadd提出了三种可能的方式：

热致激发

电子通过热能从低于1eV的浅电子陷阱中发射出去,依靠着热能,电子从电子陷阱中逃逸出去到达导带(CB),表面电场的加速作用既补偿了电磁穿透深度带来的能量损失又用来克服电子亲和势。

场致激发

使电子离开原位的总能量来源于表面电场。由二次电子发射产生的表面电荷导致了能够增强电子发射的电场,并导致随后的延迟发射。最大表面电势可以从发射出去的电子能量中得到,而且通常不高于5～15eV。在室温下,对于E=1eV的典型陷阱深度,隧道穿透可以与热穿透相匹敌,达到E=10v/cm

俄歇复合

电子射入真空的另一可能机制是空穴与捕获电子的俄歇复合(空穴诱导的电子发射)。由于光致激发或是热致激发,空穴释放,并与电子在捕获中心复合。在这一复合中释放的能量,部分作为热发光(TL),部分迁移到电子陷阱,诱导电子发射进入真空。

形成方式

1.不等价掺杂处理

2.等价的掺杂和加氢处理

3.纳米晶MgO的复合发射

外逸电子发射的作用

在传统的PDP中,ramp放电并不是稳定的。当PDP单元内没有剩余的带电粒子的时候,重新再次启动放电以及继续ramp放电的唯一途径就是通过额外的电子或是离子。其中,最重要的外源就是外逸电子的发射,因为它的衰减速度慢,成为唯一可以再次引发放电的源头。

在PDP单元中,唯一可以长时间工作(长于1ms)的源就是从MgO表面发射的外逸电子,是由电子、离子和光子在维持期受激得到的。

外逸电子的测量