概述

IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。

基本介绍

基本参数

IRF640，采用TO-220AB 封装方式。

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:18A

电压, Vds 最大:200V

开态电阻, Rds(on):0.15ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:4V

功耗:150W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率, Pd:150W

封装类型:TO-220AB

晶体管类型:MOSFET

热阻, 结至外壳 A:1°C/W