基本内容

基本参数：

晶体管类型:P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管

漏极电流, Id最大值:-23A

电压, Vds最大:100V

开态电阻, Rds(on):0.117ohm

电压@ Rds测量:10V

晶体管类型:MOSFET

电压, Vds:100V

电压, Vds典型值:100V

电容值, Ciss典型值:1300pF

电流, Id连续:23A

电流, Idm脉冲:76A

表面安装器件:通孔安装

重复雪崩电流, Iar:11A