基本信息

2005年4月赴日本广岛大学（Hiroshima University）从事博士后研究，2005年9月至2007年8月得到日本学术振兴会的资助，在广岛大学以JSPS研究员的身份从事科研工作。在Applied Physics Letters，Chemical Physics Letters，Journal of Applied Physics 等期刊发表论文30篇，被SCI引用近300次，申请专利1项。

主要从事ZnO、BN等宽禁带半导体光电薄膜材料与器件以及电阻式随机存储器(RRAM)材料与器件的研究。

研究方向

半导体光电薄膜材料与器件、忆阻器材料与器件、神经突触仿生器件、碳基纳米材料；

论文

1. S.S. Peng, F. Zhuge*, X.X. Chen, X.J. Zhu, B.L. Hu, L. Pan, B. Chen, and R.W. Li*, Mechanism for resistive switching in an oxide-based electrochemical metallization memory, Applied Physics Letters

2. B.L. Hu, F. Zhuge*, X.J. Zhu, S.S. Peng, X.X. Chen, L. Pan, Q. Yan, and R. W. Li*, Nonvolatile bistable resistive switching in a new polyimide bearing 9-phenyl-9H-carbazole pendant, Journal of Materials Chemistry

3. F. Zhuge, B.L. Hu, C.L. He, X.F. Zhou, Z.P. Liu, and R.W. Li*, Mechanism of nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films, Carbon

4. F. Zhuge, S.S. Peng, C.L. He, X.J. Zhu, X.X. Chen, Y.W. Liu, R.W. Li*, Improvement of resistive switching in Cu/ZnO/Pt sandwiches by weakening the randomicity of the formation/rupture of Cu filaments, Nanotechnology

5. F. Zhuge, W. Dai, C.L. He, A.Y. Wang, Y.W. Liu, M. Li, P. Cui, and R.W. Li*, Nonvolatile resistive switching memory based on amorphous carbon, Applied Physics Letters

专利

1. 诸葛飞、曹鸿涛、陈浩；一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品

2. 诸葛飞、陈浩、曹鸿涛；一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

3. 诸葛飞、李润伟；一种高纯碳化硼粉体的制备方法

研究项目

1.氧化物半导体纳米线中可逆巨电致电阻效应的机理研究 国家自然科学面上基金；

2. 非晶碳薄膜中可逆巨电致电阻效应的研究 国家自然科学青年基金 ；