基本介绍

作　者：王阳　编著

出 版 社：北京大学出版社

出版时间：2012-1-1

版　次：1页　数：435字　数：

印刷时间：2012-1-1开　本：16开纸　张：胶版纸

印　次：1I S B N：9787301200742包　装：平装

内容介绍

本书较系统、详细地讲解了CMOS模拟集成电路的有关基本概念、原理及设计方法。全书内容共七章，主要介绍CMOS电路的基本问题。具体包括：基本器件，基本模块电路，放大器，连续时间滤波器，开关电容电路，过采样数据转换器。本书可作为高等院校相关专业师生的教学用书，也可供相关科研、设计人员参阅。

图书目录

第一章绪论

1.1模拟电路与芯片级集成系统

1.1.1 CMOS模拟电路缘起

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

1.1.2 模拟电路在芯片级集成系统中的作用

1.1.3模拟集成电路与生物学

1.1.4芯片学的未来

1.2模拟集成电路设计旨要

1.2.1模拟电路设计的科学性与工匠性