• 1.摘要
  • 2.基本信息
  • 3.公司简介
  • 4.发展历程
  • 5.公司产品
  • 5.1.薄膜沉积
  • 5.2.等离子刻蚀
  • 5.3.光阻胶带
  • 5.4.硅片清洗
  • 6.服务范围
  • 7.外国发展
  • 8.荣誉记录
  • 9.参考资料

LAM Research

晶圆制造设备供应商

LAM Research,创立于1980年1月,总部位于美国加利福尼亚州弗里蒙特,Timothy M. Archer任集团总裁兼首席执行官1,创始人为David K. Lam2

该公司产品有ALTUS产品系列、CORONUS产品系列DSiE Product Family等3,代表性产品有MSSD 系统2

2022年5月12日,《福布斯全球企业2000强》发布,LAM Research位列第505名4

基本信息

  • 中文名

    泛林集团

  • 外文名

    Lam ResearchCorporation

  • 国家

    美国

公司简介

Lam Research Corporation主要从事设计,制造,营销和服务于半导体加工设备,其产品主要用于前端晶片处理,其中包括创建半导体器件(晶体管,电容器)的有源元件及其布线(互连)的步骤。该公司还为后端晶圆级封装(WLP)以及相关制造市场(如微机电系统(MEMS))建造设备。

发展历程

Lam Research成立于1980年,由David K. Lam创建,David K. Lam是一名曾在Herlett,Hewlett-Packard和Texas Instruments工作的中国籍工程师。

1981年,该公司推出了第一款产品AutoEtch 480,一种自动多晶硅等离子体蚀刻机。AutoEtch的名字被选为表示蚀刻机是自动化的,而480这则来自公司成立之年的1980年。1982年1月,第一个系统销售。1982年,罗杰·艾默里克被任命为首席执行官。

1984年5月,公司发行IPO,并在纳斯达克上市,标志为LRCX。1985年,David Lam离开公司加入Link Technologies,最终由Wyse 购买,现在是Dell Wyse。

在20世纪80年代中期,Lam Research继续全球扩张,专注于台湾,并在欧洲,美国和日本开设客户支持中心。

到二十世纪九十年代初,该公司在中国,韩国,新加坡和台湾都有业务。 1997年3月,该公司以2.25亿美元收购了专门从事化学机械平面化(CMP)清洁的芯片设备制造商OnTrak Systems Inc .。CMP的清洗是一种混合过程以平滑同时使用刻蚀和机械抛光的表面。1997年8月,该公司命名为OnTrak的首席执行官Jim Bagley为首席执行官。1998年,Bagley被任命为董事会主席。

2005年,Steve Newberry被任命为首席执行官。

2006年,Lam Research收购了现在Silfex公司的Bullen Semiconductor。Lam Research收购了SEZ AG ,现在是Lam Research AG。

2011年,Lam Research同意以3.3亿美元收购加利福尼亚州圣荷西的芯片设备制造商Novellus Systems。[交易于2012年6月完成。

2012年,Martin Anstice被任命为首席执行官。 2015年10月,Lam Research宣布计划以10.6亿美元收购位于加利福尼亚州米尔皮塔斯的晶圆检测设备供应商KLA-Tencor,在什么被视为半导体行业整合的举措。[18] 2016年6月,宣布林研究首次加入财富500强。

2016年10月,公司宣布,它已经终止了对KLA-Tencor的报价之中,该交易将无法满足来自美国司法部的部门监管机构批准的关注在反垄断担忧。 该公司宣布已经终止对KLA-Tencor的要约,因为担心这笔交易不符合美国司法部对反垄断关切的监管部门的批准。

公司产品

Lam Research设计和制造半导体制造产品,包括薄膜沉积设备,等离子体蚀刻,光致抗蚀剂条和晶圆清洗工艺。这些技术在半导体制造中重复,有助于创建晶体管,互连,高级存储器和封装结构。它们也用于微机电系统(MEMS)和发光二极管(LED)等相关市场的应用。

薄膜沉积

Lam的薄膜沉积系统放置构成集成电路的导电(金属)或绝缘(电介质)材料的亚微米层。这些过程需要在纳米级别的均匀性。

该公司采用电化学沉积(ECD)和化学气相沉积(CVD)技术,形成导电结构的铜和其他金属膜的原子层沉积(ALD)也被用于在类似的特征钨金属膜接触和插头,其之间的多级互连的芯片设计的金属线垂直的连接。

等离子体增强(PE)CVD和ALD技术为广泛的绝缘部件创建介电膜。对于需要将介电材料沉积到狭窄空间中的间隙填充工艺,Lam采用高密度等离子体(HDP)CVD技术。PECVD和ALD也用于形成硬掩模,可以去除的层,以改善电路图案化过程。