半导体器件原理
《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。 《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
基本信息
- 外文名
Principles of Semiconductor Devices
- 出版社
复旦大学出版社
- 作者
黄均鼐 汤庭鳌
- 开本
16
- 页数
375页
图书信息
出版社: 复旦大学出版社; 第1版 (2011年9月1日)
平装
ISBN: 9787309081442
条形码: 9787309081442
ASIN: B005N6TCOQ
内容简介
此书一直跟着此书作者讨论，非常受益，值得认真看看，认真思考。此书虽然用的辞藻不华丽，但正因为这样朴实的语句，更能为大众所理解，所接受，作者将一部深奥难懂的精神分析学、社会关系学、等等，汇集到此书当中，用最亲切的语言，最易于大众理解的语言，一语道破天机。
此书是打开幽暗的心理世界大门的一把钥匙，是洞穿纷繁复杂的社会现象的一双冷眼。
作者的心理学基础比较好，有善于抓住社会热点进行评析，基本上你很难拒绝他的看法。
编辑推荐
为了适应当前集成电路的迅猛发展和新型半导体器件的不断涌现，我们编写出版了《半导体器件原理》一书。 《半导体器件原理》不仅介绍和分析了集成电路领域内一些基本器件，如p-n结、双极型晶体管、单栅金属氧化物场效应管、功率晶体管等的基本结构和工作原理，还根据当前科学技术的发展，介绍和分析了一些新型器件的结构和工作原理，如铁电存储器、相变存储器、阻式存储器、多栅场效应管以及肖特基势垒源／漏结构场效应管等。 《半导体器件原理》的作者们在集成电路领域具有多年的教学和科研经验，希望通过该书的学习或阅读，为读者了解集成电路领域传统的和新型的半导体器件结构以及它们的基本原理有所帮助。《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。