微电子所概况

创办时间

清华大学微电子所成立于1980年，其前身是原无线电电子学系于1957年创办的半导体教研组，是专门从事微电子学和纳电子学领域高层次人才培养和科学研究的机构。

发展概况

建所30年来，微电子所在我国半导体及集成电路发展史上取得了一系列代表国家水平、具有标志性的成果，为中国的半导体事业发展做出了突出贡献，累计获国家奖励8项，省部级奖励20多项，授权专利136项。微电子所下设有固体器件与集成技术研究室、集成电路与系统设计研究室、微纳器件与系统研究室、CAD技术研究室和微纳电子技术平台。

经过30年的发展，形成了涵盖微纳电子学和集成电路与系统两个研究方向，建立了比较完善的硅基微电子研究体系，培养了大批高素质的优秀人才，是中国微纳电子学科研和人才培养的重要基地之一。 

学科方向

学科发展及主要研究开发领域

清华大学微电子学研究所学科发展的目标是形成比较完善的硅基微纳电子器件研究体系，主要研究方向为当今微电子科学技术的两个主流发展方向，即微纳电子学和集成电路与系统，确立五个学术研究方向：　　--- 微/纳电子器件及系统　　--- 集成电路与系统　　--- 集成电路与微纳米工艺学　　--- 半导体器件物理与系统的CAD方法　　--- 纳电子学与量子信息技术 

微/纳电子器件及系统

研究重点为各种新型微电子与纳电子器件及系统。包括新型不挥发存储器、微机电器件与系统（MEMS）、纳电子器件与系统、面向生、化、医学应用的微器件与系统，还包括用于微纳电子器件与系统的新材料、新结构、微纳电子器件与系统的封装技术及纳电子学等方面。

集成电路与系统

依托已有的“电子系统集成与专用集成电路技术研究中心”，重点研究面向SOC系统芯片的数字、模拟、射频混合信号集成电路设计以及IP核的研究开发，面向SOC的测试方法研究，面向无线通信与信息安全应用的SOC实现等。

集成电路与微纳米工艺学

在建成的微电子研发基地--工业性试验线的基础上，进一步增强、延伸其能力和水平，跟踪主流CMOS技术发展的器件结构、单元电路、新材料与相关工艺，面向SOC的特种工艺研究，如微波集成用SiGe器件 、非挥发性存储器器件、高压功率器件等新器件、新工艺，力争在与产业及产品的紧密结合中，探索微纳米工艺新技术。 

半导体器件物理与系统的CAD方法

建设“虚拟微/纳电子技术研究室”，开展极小尺寸MOS器件输运机理研究；纳米级量子、电子器件结构和理论分析与微、纳米级新结构器件及其CAD软件研究；包括建库方法学和用于SOC存储器类的IP核开发、射频(RF)电路版图设计的电路参数提取及验证等方面的研究。

纳电子学与量子信息技术

研究纳米尺度的低维结构物理、实现与应用。重点是与硅基CMOS工艺兼容的可集成纳电子器件，包括GeSi量子点阵，分子/生物与金属电极的接触机理。研究量子位的固态实现，包括用超导器件实现多位量子位及其测量技术；用计算机模拟对纳电子器件与量子结构进行分析等。