内容简介

《半导体光电阴极》以半导体光电阴极近50年来的发展为基础，对历史进行了粗略的回顾。同时力求内容反映当今半导体光电阴极的发展趋势和前沿动态。书中全面介绍了以GaAs—NEA光电阴极为代表的，从紫外到近红外敏感的各种NEA光电阴极的原理和特点，与此同时对各种场助半导体光电阴极，包括3—5族异质结场助光电阴极、Si锥场发射光电阴极以及近年来出现的碳纳米管光电阴极等也作了较详细的介绍。在制作技术方面，融合了若干国外文献和专利的内容。2

图书目录

前言

第1章 半导体光电阴极基础

1.1 GaAs晶体结构

1.2 半导体能带

1.3 功函数与电子亲和势

1.4 半导体光吸收

1.5 GaAs光电阴极中的载流子输运过程

1.6 电子一声子散射

1.7 半导体异质结

1.8 超晶格与量子阱基础

参考文献

第2章 GaAs半导体表面重构与表面态

2.1 GaAs表面重构

2.2 GaAs半导体表面态

参考文献

第3章 GaAs半导体光电阴极