研究简史

中文名称：氮化镓

英文名称：gallium(iii) nitride

英文别名：Gallium nitride; nitridogallium; gallium nitrogen(-3) anion

分子量：83.7297

熔点：1700℃

密度：6.1g/mL，25/4℃

材料简介

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

物质结构

1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无

2、氢键供体数量：0

3、氢键受体数量：1

4、可旋转化学键数量：0

5、互变异构体数量：无

6、拓扑分子极性表面积：23.8

7、重原子数量：2

8、表面电荷：0

9、复杂度：10