• 1.摘要
  • 2.基本信息
  • 3.简介
  • 4.基本内容
  • 4.1.定义
  • 4.2.主要参量
  • 5.作用特点
  • 6.导电特性
  • 6.1.正向特性
  • 6.2.反向特性
  • 7.工作原理
  • 8.用途材料
  • 9.常用材料
  • 10.反向击穿
  • 11.参考资料
  • 12.知识合集

变容二极管

变容二极管(Varactor Diodes,可变电抗二极管)是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。

其主要参量是零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等。

基本信息

  • 中文名

    变容二极管

  • 外文名

    Varactor Diodes

  • 别名

    可变电抗二极管

  • 主要参量

    零偏结电容零偏压优值等

简介

变容二极管

变容二极管,又称"可变电抗二极管",是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。主要参量是:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等。当外加顺向偏压时,有大量电流产生,PN(正负极)接面的耗尽区变窄,电容变大,产生扩散电容效应;当外加反向偏压时,则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生,所以在应用上均供给反向偏压。

基本内容

定义

变容二极管

变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管,其结构如右图所示。

主要参量

主要参量是:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等。

作用特点

1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。

变容二极管
变容二极管

变容二极管属于反偏压二极管,改变其PN结上的反向偏压,即可改变PN结电容量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的,如右图所示。

2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解:

(a) 反向偏压增加,造成电容减少;

(b) 反向偏压减少,造成电容增加。

电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示最小值、标称值及最大值,这些经常绘在图上。1

导电特性