基本介绍

姓 名: 罗卫军

性 别: 男

职 称: 副研究员

学 历: 博士

通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

微波器件与集成电路研究室(四室)

简历

教育背景

1999-2003 北京师范大学 物理学 本科

2003-2008 中国科学院半导体研究所 微电子学与固体电子学 博士

工作简历

2008年-至今 中国科学院微电子研究所 四室

研究方向

化合物半导体材料、器件和电路研究

代表论著

W.J. Luo X.J. Chen, L. Pang, T.T. Yuan, X.Y. Liu, “A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1 dB linear gain”, Microelectronics Journal

W. J. Luo, X. J. Chen, C. Y. Yang, Y. K. Zheng, K. Wei, X. Y. Liu, “Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs”, Microelectronics International, Vol.28 Iss:2,

Weijun Luo, Xiaojuan Chen, Hui Zhang, Guoguo Liu, Yingkui Zheng, Xinyu Liu, “C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE”, Solid-State Electronics