内容简介

《稀土高K栅介质材料》主要介绍稀土高K栅介质材料Er2O3、Tm2O3薄膜的生长、结构及其特性，重点介绍了利用分子束外延方法获得超薄高K氧化物薄膜的方法。并运用多种手段对薄膜的生长过程、结构、电学特性及能带排列等进行了研究。《稀土高K栅介质材料》较为全面、系统地介绍了Er2O3、Tm2O3，作为高K栅介质候选材料的制备及相关物理性质。1

《稀土高K栅介质材料》是在作者近几年来从事高K栅介质材料相关科研工作所获得的结果，并借鉴、吸收了相关领域的一些专家学者和科研人员的一些有价值的研究成果，对微电子工业中栅介质的选择具有一定的参考价值。

图书目录

第1章绪论

1.1 引言

1.2 MOSFET的按比例缩小

1.3栅介质的按比例缩小

1.3.1栅介质的漏电流和功率损耗

1.3.2 SiO2的极限问题

1.4用高K材料代替SiO2作为栅介质的必要性

及其特性需求

1.4.1 高介电常数与高K/Si界面势垒

1.4.2高K材料与Si的热稳定性

1.4.3 高K材料与Si的界面质量

1.4.4高K材料的薄膜形态

1.4.5工艺兼容性

1.5稀土高K栅介质材料

参考文献