• 1.摘要
  • 2.基本信息
  • 3.内容简介

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局编著书籍

《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》代替GB/T 4058—1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》与GB/T 4058—1995相比,主要有如下变化:1.范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验;2.增加了引用标准;3.增加了“术语和定义”章;4.将原标准中“表1 四种常用化学抛光液配方”删除,在第5章中对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;增加了铬酸溶液A的配制、Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制;增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;5.采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤;增加了(111)面缺陷的显示方法及Wright腐蚀液的腐蚀时间,将(111)面和(100)面缺陷显示方法区分开了;(100)面缺陷的显示增加了Wright腐蚀液腐蚀方法;6.在缺陷观测的测点选取中增加了“米”字型测量方法。

基本信息

  • 书名

    硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

  • 外文名

    Test Method for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers

  • 作者

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

  • 出版社

    中国标准出版社

  • 出版日期

    2010年1月1日

内容简介

《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》的附录A为资料性附录。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》起草单位:峨嵋半导体材料厂。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法(GB/T 4058-2009)》所代替标准的历次版本发布情况为:GB 4058—1983、GB/T 4058—1995;GB 6622—1986、GB 6623—1986。