《晶体生长手册5:晶体生长模型及缺陷表征(影印版)》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
基本信息
外文名
Springer Handbook of Crystal Growth
出版社
作者
开本
页数
基本介绍
内容简介
《晶体生长手册5:晶体生长模型及缺陷表征(影印版)》由哈尔滨工业大学出版社出版。
作者简介
作者：（美国）德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）
图书目录
缩略语
Part F晶体生长及缺陷模型
36熔体生长晶体体材料的传导和控制
36.1运输过程的物理定律
36.2熔体的流动结构
36.3外力对流动的控制
36.4前景
参考文献
37Ⅲ族氮化物的气相生长
37.1Ⅲ族氮化物的气相生长概述
37.2 A1N/GaN气相淀积的数学模型
37.3气相淀积AlN/GaN的表征
37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究