人物生平

1920年10月10日，洪朝生出生于北京。

1936年，洪朝生考入清华大学电机工程系，毕业后在西南联大电机工程系担任电信课助教。当时，西南联大工科学生没有看外文文献的习惯，而洪朝生没有被这个传统束缚，他搭的一个实验台实验结果非常精确，主要得益于在国内看到一篇关于负反馈控制稳定性的外文文献。在学习上，洪朝生更看重自己的参悟力，不急于交流，但不排斥交流。与人讨论时总三思而后行，不急于下结论。也许正是这一份坚持的毅力和严谨的作风，厚积薄发，成就了他在物理学上重要的发现。

1945年，洪朝生前往美国麻省理工学院攻读博士学位。当时的热门是微波和核物理，但是他没有盲目跟风，而是按照导师的思路踏实工作。尽管洪朝生在西南联大无线电专业做了一段时间物理实验课讲师，但从未动手组装过收音机，而在MIT，很多实验台都是自己动手搭建。因此，洪朝生在这里学习了一些重要的实验技术和技巧。

1948年，获得博士学位后，洪朝生在美国普渡大学实习。开始时，洪朝生搭建低温实验台用于研究锗晶体，每天的工作重心集中在测量数据上，并没有明确的科研思路。后来在导师的一番提醒下，洪朝生突然激发了主动寻求科研思路的动力。在第一届低温物理国际会议上，有一位专家问到“锗晶体中杂质含量及其对测量结果影响”的问题，洪朝生会后对实验结果进行整理，发现在低温下半导体锗单晶电导与霍耳效应的反常行为，但是当时无法给出理论解释。

1950年，即将结束普渡大学工作准备去欧洲留学的前两个星期，洪朝生收到一批样品，他并没有因为新的工作行程而懈怠，而是加班加点进行测试。恰恰是这一批样品的测试结果，弥补了之前的数据缺陷，使得电阻变化与杂质含量之间的规律一下子清晰起来。天道酬勤，洪朝生提出了半导体禁带中杂质导电的新概念。这项成果成为此后国际上关于无序系统电子输运机制研究的开端。随后，洪朝生前往荷兰莱顿大学实验室工作。

1952年回国后，洪朝生先后在清华大学、北京大学和中国科学技术大学物理学系任教。

1953年，担任中国科学院物理研究所研究员,负责组建低温物理实验室。

1956年，领导建造氢、氦液化系统。这个时期，洪朝生参与了钱学森领导的我国导弹工程研制任务，负责导弹实验基地高能液体燃料的实验，先把温度降到零下180摄氏度左右试验液氧，再把温度降到零下250多摄氏度左右试验液氢，为1960年我国的第一枚导弹的发射成功做出了重要贡献。

1961年，参与创办中国科技大学低温物理专业，经过3年艰苦奋斗，在他领导下建成新型结构氦膨胀机与液化器，使物理研究所和其他单位能够开展超导实验、超导应用和超导物理的研究工作。

20世纪80年代初，洪朝生负责组建以推广提高氦温区低温技术、促进低温实验工作与超导电技术应用为主要目标的中国科学院低温技术实验中心。

1978年，洪朝生任中国科学院物理研究所副所长。

1980年，洪朝生当选为中国科学院数学物理学部学部委（院士）和常务委员。

1982年5月，在中科院物理所低温物理研究室和中科院气体厂的基础上，低温技术实验中心正式成立，洪朝生担任主任。

1986年3月，洪朝生任中国科学院物理所第五届学术委员会副主任、委员。

2001年1月，洪朝生当选中国科学院资深院士。

2005年9月，洪朝生被聘为中国科学院研究生院兼职教授。

2007年10月12日，洪朝生被聘为中国科学院物理研究所第十届学术委员会委员。

2018年8月19日10时10分，洪朝生因病医治无效，在北京逝世，享年98岁2。